廣東集成電路正高級工程師業績成果條件

從事本專業技術工作期間，符合下列條件之二：

1.作為項目負責人，主持完成本專業領域國家重大專項（包括重大工程項目、技術攻關、研究項目等）1 項以上或省（部）級重大專項（包括重大工程項目、技術攻關、研究項目等）2 項以上，并結項；或作為主要完成人參與完成與本專業相關的國家級政策研究課題 1 項或省（部）級政策研究課題 2 項，成果被有關部門采納。

2.國家科技成果獎獲獎項目的主要完成人（以獎勵證書為準）；或省（部）級科技成果獎、中國電子學會科技獎一、二等獎獲獎項目的主要完成人（一等獎排名前 7、二等獎排名前 5，以獎勵證書為準）；或省（部）級科技成果獎、中國電子學會科技獎三等獎或市（廳）級科技成果獎一等獎獲獎項目的主要完成人（均排前 3 名，以獎勵證書為準）。

3.中國半導體創新產品和技術獎、中國集成電路產業技術創新獎等國內本專業獲獎項目的主要完成人（均排前 3 名，以獎勵證書和申報書為準）。獲獎項目或產品均實現產業化并投放市場，產生良好經濟效益

集成電路專業介紹

本專業：指集成電路設計、集成電路制造、集成電路封裝和測試、集成電路裝備、集成電路材料和集成電路產品和支撐等專業。如無特別說明，本標準條件所列業績、學術、獎項等成果均為與本專業相關的成果。

2.集成電路材料：

(1)器件溝道材料：11N 高純硅，III-V 族半導體((In,Ga)As, (In,Ga)P，(In,Ga)N）、碳納米管、石墨烯、黑磷、過渡金屬硫屬

化合物 MX2(M=Mo、W、V、Ti、Ta 等，X=S、Se、Te)、鐵電

半導體(In2Se3)等；

(2)器件柵介質材料：HfO2、HfZrO2、Al2O3、Y2O3、范德

瓦爾斯材料 BN、MX3(M=Sc、Y、Bi 等，X=Cl、Br、I)等；

(3)電極材料：TiN，TaN 等；

(4)大功率器件材料：Si、Ge、SiC、GaN、Ga2O3、AlN 等；

(5)封裝材料：導電，Cu、Al、Ag 及其他合金 Sn-Pb、Sn-Ag、

Sn-Sb 、 Sn-Au 、 Sn-Ag-Cu 、 Sn-Ag-Cu-X 、 Sn-Ag-Cu-X-Y 、

Sn-Ag-Cu-X-Y-Z 等；陶瓷襯底，Al2O3、AlN、Si3N4 等；芯片

封裝材料包括封裝基板、引線框架、樹脂、鍵合絲、燒結銀、燒結銅、錫球以及電鍍液等；

(6)化學試劑(包括但不限于電子化學品)、光刻膠、掩膜等；

(7)電子特種氣體等；

(8)光電晶體材料、半導體發光材料等；

(9)薄膜材料：AlCu，AlSiCu，AlSi，Al，AlSc，Cu，CuMn，

CuAl，Ti，Ta，Co，NiPt，W，WSi，WTi，Au，Ag，Ru，Pt，

GeSbTe,GaSb,GaTe,InSb 等靶材；

(10)高純金屬源：Al、Be、Sb、In、Ga、As、P、B、GaTe 等