廣東集成電路高級工程師學歷資歷條件

符合下列條件之一：

1.具備博士學位，取得工程師職稱后從事本專業技術工作滿 2年；或具備博士學位，從事本專業技術工作滿 3 年。

2.具備碩士學位或第二學士學位，或大學本科學歷或學士學位，或技工院校預備技師（技師）班畢業，取得工程師職稱后，從事本專業技術工作滿 5 年。

集成電路專業介紹

本專業：指集成電路設計、集成電路制造、集成電路封裝和測試、集成電路裝備、集成電路材料和集成電路產品和支撐等專業。如無特別說明，本標準條件所列業績、學術、獎項等成果均為與本專業相關的成果。

2.集成電路材料：

(1)器件溝道材料：11N 高純硅，III-V 族半導體((In,Ga)As, (In,Ga)P，(In,Ga)N）、碳納米管、石墨烯、黑磷、過渡金屬硫屬

化合物 MX2(M=Mo、W、V、Ti、Ta 等，X=S、Se、Te)、鐵電

半導體(In2Se3)等；

(2)器件柵介質材料：HfO2、HfZrO2、Al2O3、Y2O3、范德

瓦爾斯材料 BN、MX3(M=Sc、Y、Bi 等，X=Cl、Br、I)等；

(3)電極材料：TiN，TaN 等；

(4)大功率器件材料：Si、Ge、SiC、GaN、Ga2O3、AlN 等；

(5)封裝材料：導電，Cu、Al、Ag 及其他合金 Sn-Pb、Sn-Ag、

Sn-Sb 、 Sn-Au 、 Sn-Ag-Cu 、 Sn-Ag-Cu-X 、 Sn-Ag-Cu-X-Y 、

Sn-Ag-Cu-X-Y-Z 等；陶瓷襯底，Al2O3、AlN、Si3N4 等；芯片

封裝材料包括封裝基板、引線框架、樹脂、鍵合絲、燒結銀、燒結銅、錫球以及電鍍液等；

(6)化學試劑(包括但不限于電子化學品)、光刻膠、掩膜等；

(7)電子特種氣體等；

(8)光電晶體材料、半導體發光材料等；

(9)薄膜材料：AlCu，AlSiCu，AlSi，Al，AlSc，Cu，CuMn，

CuAl，Ti，Ta，Co，NiPt，W，WSi，WTi，Au，Ag，Ru，Pt，

GeSbTe,GaSb,GaTe,InSb 等靶材；

(10)高純金屬源：Al、Be、Sb、In、Ga、As、P、B、GaTe 等